REM Rasterelektronenmikroskopie mit EDX und EBSD

AUF EINEN BLICK Hochauflösende REM und STEM Ortsaufgelöste Elementanalyse Korrelative Mikroskopie Untersuchung von luft- oder feuchtigkeitsempfindlichen Proben Präparation von (S)TEM-Lamellen Präparation von FIB-Querschnitten FIB-REM Tomographie Energiedispersive Röntgenspektrometrie (EDX) Wellenlängendispersive Röntgenspektrometrie (WDX) Elektronenrückstreubeugung (EBSD) ESB (Energy Selective Backscattered) Die mit einer Feldemissionskathode ausgestatteten Rasterelektronenmikroskope (REM) ermöglichen Materialuntersuchungen im Nanometerbereich. Aufnahmen mit den Sekundärelektronen (SE)-Detektoren sind topographie- bzw. kantenbetont, während Aufnahmen mit dem Rückstreuelektronen (RE)-Detektor den Material- bzw. Channeling-Kontrast zeigen. Zur ortsaufgelösten Elementanalyse stehen Detektoren für energie- bzw. wellenlängendispersive Röntgenspektrometrie zur Verfügung (EDX, WDX). Die kristallographischen Eigenschaften können mit Elektronenrückstreubeugung (EBSD) analysiert werden. EBSD liefert Informationen über Phasen, Korngrößen und Kristallorientierungen. Gezielte Materialabtragungen ermöglicht der fokussierte Ga-Ionenstrahl (Focused Ion Beam, FIB). Mit FIB lassen sich Querschnitte in Oberflächen mit hoher Ortsauflösung präparieren und in situ elektronenmikroskopisch untersuchen. Daher eignet sich diese Methode beispielsweise zur Untersuchung von Schichtsystemen, Defekten oder Korrosion. STRUKTURUNTERSUCHUNGEN Darstellung von Materialkontrasten mit RE-Detektor RE-Aufnahmen von Gefügen nach Ionenstrahlpräparation Aufnahmen von Nanopartikeln mit InLens-Detektor ESB (Energy Selective Backscattered)